铌箔在中子探测中如何提高剂量探测元件活度测量的精度？

可通过设计适当含钽杂质的铌箔，根据铌探测片中子活化规律，加工相应尺寸的铌箔作为目标探测片。然后根据中子辐照环境的中子能谱和中子注量率制定辐照条件，将目标铌箔完成辐照。利用 182Ta 半衰期与 93mNb 半衰期的差异，建立 182Ta 比活度减少量与 93mNb 比活度的减小量之间的关系，消除 182Ta 荧光效应影响，从而实现含钽铌探测片 93mNb 活度的准确测量。

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