钽基超导芯片的量子相干时间如何提升至 800 微秒？

采用原子层沉积技术（ALD）在硅衬底上生长钽薄膜（厚度 20-50nm），通过优化溅射功率（200W）和氩气流量（5sccm），结合低温退火（400℃/2h）消除晶格缺陷，使量子退相干时间提升 15 倍。

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