铌靶材的晶粒取向对溅射薄膜均匀性的影响？

当 {110} 织构占比从 60% 提升至 80%，薄膜厚度偏差从 ±3% 降至 ±1.5%，通过轧制 + 退火工艺调控织构，满足半导体 3D NAND 的镀膜要求。

宝鸡天博金属在金属材料加工行业内深耕多年，产品保质保量，致力于服务好每位客户，欢迎各位客户随时来电咨询：13347285481陈（WX同号）