原材料提纯：采用电子束熔炼或区域熔炼技术，使钽纯度达 99.95%（3N95）以上。
杂质检测：通过 ICP-MS 或 GD-MS 监测 W、Mo、Nb 等痕量杂质（半导体级要求≤0.4ppm）。
工艺优化：在惰性气体环境中操作，避免氧化及污染。
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