高纯铌（纯度≥99.999%）是半导体行业用于磁控溅射工艺的核心材料，通过真空熔炼、精密轧制等工艺制成靶材，可在芯片表面形成均匀金属薄膜，用于铜互连技术的扩散阻挡层或光学镀膜。其关键优势包括晶粒尺寸＜50μm、表面粗糙度 Ra≤0.1μm，以及耐高温、抗腐蚀特性。
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