表面涂层：
CVD 沉积 SiC 膜：1600℃氧化增重＜0.1mg/cm²
镀铱处理：耐 γ 射线辐照剂量＞10⁶Gy
工艺参数：涂层厚度 5-10μm，结合力＞10N/cm（划格试验）
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