杂质含量限制：
氧（O）<50ppm：避免晶体氧化夹杂；
碳（C）<20ppm：防止高温下与熔体反应生成碳化物；
铁（Fe）、镍（Ni）<10ppm：避免污染半导体晶体（如硅单晶）。
纯度等级：半导体级需≥99.99%（4N），普通光学晶体≥99.95%（3.5N）。
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