钼坩埚用于晶体生长时，怎样的纯度标准能满足工艺要求？

杂质含量限制：

氧（O）<50ppm：避免晶体氧化夹杂；

碳（C）<20ppm：防止高温下与熔体反应生成碳化物；

铁（Fe）、镍（Ni）<10ppm：避免污染半导体晶体（如硅单晶）。

纯度等级：半导体级需≥99.99%（4N），普通光学晶体≥99.95%（3.5N）。

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