电子束蒸发钼舟：纯度≥5N，加热至 1800℃时蒸发速率 0.5-2μm/min
溅射靶材背衬板：热导率 142W/(m・K)，确保散热均匀性
案例：某芯片厂使用钼加工件作为散热基板，器件结温降低 12℃
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