半导体熔炼坩埚是用于半导体晶体生长的关键设备,通常由高温陶瓷材料制成,能够承受高温和化学腐蚀。常见的半导体熔炼坩埚包括以下类型:
石英坩埚:石英是一种高纯度的无机材料,它具有出色的耐高温和化学稳定性。石英坩埚常用于硅单晶生长中。
氧化锆坩埚:氧化锆是一种高温陶瓷材料,它具有高强度、高耐磨性和良好的耐化学性。氧化锆坩埚通常用于生长氮化镓等化合物半导体材料。
氮化硅坩埚:氮化硅是一种高温陶瓷材料,它具有良好的高温强度和耐腐蚀性能。氮化硅坩埚常用于生长氮化镓和碳化硅等材料。
铝氧化物陶瓷坩埚:铝氧化物是一种高温陶瓷材料,它具有高强度、高耐磨性和优异的耐化学性能。铝氧化物陶瓷坩埚通常用于生长氮化铝等材料。
高纯度石墨坩埚:高纯度石墨坩埚是一种经过高温烧结处理的高温材料,它具有优异的导热性和耐腐蚀性。高纯度石墨坩埚通常用于生长锗和硅等材料。