镍钨溅射靶材在半导体制造中主要用于形成扩散阻挡层和蚀刻停止层。其高熔点（约 1970℃）和优异的抗腐蚀性能，使其适用于先进制程中的铜互连工艺，防止铜原子扩散至绝缘层。例如，在 7nm 及以下芯片中，镍钨合金靶材可有效提升器件可靠性，满足高密度集成需求。
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