钽靶材的晶粒尺寸是关键参数，通常控制在 40-60μm 以确保均匀溅射。细晶粒结构可减少膜层缺陷，提升沉积速率的一致性，尤其适用于半导体芯片的纳米级薄膜制备。通过优化热处理工艺，可调控晶粒取向（如 {111} 晶面占比），进一步改善膜层的电学和机械性能。
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