扩散阻挡层：在铜互连工艺中，钨靶溅射形成阻挡层，防止铜原子扩散至绝缘层。
通孔填充：用于 3D NAND 闪存的垂直通孔结构，确保电荷存储稳定性。
电极材料：在功率器件中作为耐高温电极，承受高电流密度。
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