优化方法：
提高致密度：通过热等静压（HIP）使致密度≥99.5%，减少溅射时的颗粒脱落。
晶粒控制：粗晶靶材（晶粒 50-200μm）溅射速率比细晶靶材高 20%-30%。
设备匹配：调整溅射功率（5-15 W/cm²）和工作气压（0.1-1 Pa），优化等离子体分布。
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