在 3D NAND 闪存制造中，钨靶材用于垂直通孔（VIA）填充，形成导电通路。其高密度（19.3g/cm³）和高熔点特性确保通孔结构稳定，耐受多次擦写循环。国内企业如江丰电子已实现 12 英寸钨靶量产，良率达 99.2%。
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