熔点：要确保坩埚材料的熔点高于晶体生长过程中的最高温度，以防止坩埚在使用过程中熔化。例如，生长蓝宝石晶体（熔点约 2050℃），可选择熔点高达 2996℃的钽坩埚或熔点为 2770℃的钨坩埚。
化学稳定性：坩埚材料应与晶体生长原料及环境具有良好的化学相容性，避免发生化学反应影响晶体纯度和质量。如在生长半导体晶体时，石英坩埚因化学稳定性好、纯度高，常被用于硅晶体生长，能有效防止杂质引入。
热稳定性：具备良好的热稳定性可以保证坩埚在快速升温和降温过程中不破裂、不变形。像石墨坩埚具有较好的热稳定性和热导率，有利于晶体生长过程中的热量传递和温度控制，常用于一些对温度变化较为敏感的晶体生长。
氧化物晶体：对于生长氧化铝、氧化钇等氧化物晶体，通常可以选择钽坩埚、铱坩埚等。钽坩埚具有良好的耐高温和抗腐蚀性能，能为氧化物晶体生长提供稳定环境；铱坩埚则具有更高的化学稳定性，尤其适用于对纯度要求极高的氧化物晶体生长。
半导体晶体：硅、锗等半导体晶体生长常采用石英坩埚或石墨坩埚。石英坩埚纯度高、耐温性较好，能满足硅晶体生长的高温需求且不易引入杂质；石墨坩埚则具有良好的热性能，有助于控制晶体生长的热场分布。
氟化物晶体：生长氟化钙、氟化锂等氟化物晶体时，由于氟化物具有一定的腐蚀性，可选用铂金坩埚或镍基合金坩埚。铂金坩埚具有极佳的耐腐蚀性，能抵抗氟化物的侵蚀；镍基合金坩埚也具有较好的抗氟化物腐蚀能力，且成本相对较低。
提拉法：提拉法生长晶体需要坩埚材料具有良好的表面光洁度，以减少晶体与坩埚壁之间的摩擦和应力。通常会选择表面光滑的石英坩埚、铱坩埚等，有助于晶体的顺利提拉和生长。
区熔法：区熔法对坩埚的热导率和热稳定性要求较高，石墨坩埚由于热导率高、热稳定性好，能够快速传递热量并维持稳定的温度场，因此在区熔法生长晶体中应用较为广泛。
水热法：水热法生长晶体一般在高温高压的水溶液环境中进行，需要坩埚材料具有良好的耐水性和耐腐蚀性。常用的有不锈钢高压釜内衬聚四氟乙烯的坩埚，聚四氟乙烯具有优异的耐水性和化学稳定性，能在水热环境中保护坩埚主体不受腐蚀。
材料成本：不同材料的坩埚成本差异较大。例如，铂金坩埚成本较高，一般用于对晶体纯度要求极高且生长规模较小的场合；而石墨坩埚成本相对较低，适用于一些对成本较为敏感、生长规模较大的晶体生长过程。
使用寿命：使用寿命长的坩埚虽然初始投资可能较高，但从长期来看可以降低成本。如铱坩埚虽然价格昂贵，但因其具有良好的耐高温和耐腐蚀性能，在生长高熔点、高纯度晶体时使用寿命较长，综合成本可能并不高。
尺寸：坩埚的尺寸要根据晶体生长设备的大小和所需生长晶体的尺寸来确定。如果需要生长大尺寸晶体，就需要选择较大容积的坩埚，以提供足够的原料空间和生长空间；对于小型实验设备或生长小尺寸晶体，则可以选择较小尺寸的坩埚，以提高热量传递效率和生长控制精度。
形状：不同的晶体生长方法和晶体形状可能需要不同形状的坩埚。例如，提拉法生长的晶体通常为柱状，一般使用圆柱形坩埚；而对于一些特殊形状的晶体生长，可能需要定制特殊形状的坩埚，如锥形坩埚、方形坩埚等，以更好地控制晶体的生长方向和形状。
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