YS/T 1024-2015：钽纯度 ≥ 99.95%（3N95），杂质总和 ≤ 0.01%（W/Mo/Nb），氧 ≤ 0.05%。
SEMI F20-0706E（半导体级）：钽纯度 ≥ 99.998%（4N8），W/Mo/Nb 总和 ≤ 0.4ppm，氧 ≤ 600ppm。
杂质：
难熔金属（W/Mo/Nb）：ICP-MS 或 GD-MS（ppb 级精度）。
气体杂质（O/N/H）：氧氮分析仪或惰气熔融法。
物理性能：密度（接近 16.68g/cm³）、晶粒尺寸（≤50μm）、表面粗糙度（Ra≤0.8μm）。
半导体：4N8 + 纯度，痕量杂质严格控制（如 W≤0.1ppm）。
光学 / 工业：3N5~4N，侧重表面质量与稳定性。
第三方：SGS、国家有色金属测试中心（ISO 17025 认证）。
行业认证：SEMI 标准需通过半导体协会认证。
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