半导体溅射用铌靶材的晶粒尺寸如何控制在 5μm 以下？

采用热等静压（100MPa/1200℃）+ 冷加工（变形量 70%），使 Nb-1% Zr 靶材的晶粒度从 50μm 细化至 4μm，溅射薄膜厚度均匀性 ±1.5%，用于 3D NAND 闪存铜互连阻挡层。

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